MOSFET是开关电源中的核心器件，每一种开关电源的拓扑都含有一个或者多个开关器件，开关器件的设计与性能影响着开关电源整体的性能、效率、稳定性与可靠性，另外开关器件对于开关电源的电磁兼容（EMC）也起着至关重要的作用，本文就对开关器件MOSFET对于EMC的影响进行初步介绍。
由于开关电源中MOSFET经常工作在高频状态，上升沿和下降沿也比较陡峭（dv/dt,di/dt较大），因此MOSFET对于电磁兼容中的辐射EMI往往产生重要的影响，本文就重点介绍MOSFET对于开关电源辐射EMI的影响。
一：单管驱动拓扑MOSFET EMC分析
单管拓扑主要包括Boost, Buck, SW Fly-back, SW Forward等等，本节以SW Fly-back-单管反激拓扑为例进行简单介绍。
1. 驱动电阻的影响
驱动电阻一般对于MOSFET辐射低频段（30MHz-50MHz）产生影响，同时要综合考虑MOSFET的温度。
2. Snubber电容C4的影响
Snubber电容C4主要对40MHz到100MHz辐射EMI产生影响，其值的大小配合相应种类的MOSFET会对辐射EMI不同的频率段产生影响，当然要综合考虑MOSFET的温度。
3. 磁珠B1,B2,B3的影响
磁珠B1,B2,B3主要对辐射EMI 80MHz到200MHz产生影响，要综合考虑MOSFET的电压应力。
4. 合适的驱动线路推荐
为了设计时更好的tradeoff MOSFET辐射EMI，电压应力与温度，推荐使用以下的驱动线路，这样可以灵活调节各个电阻、电容参数，已达到辐射EMI与温度的最佳效果。
二：半桥拓扑
对于半桥拓扑线路，尽量减少开关器件驱动和漏源极间的电压震荡，可以有效改善开关电源的辐射EMI。
1. 减少MOSFET漏极寄生电感，可以有效地减少漏源极间电压的震荡
2. 减少MOSFET源极寄生电感，可以有效地减少MOSFET漏源极以及栅源极间电压的震荡
3. PCB layout上走线电感的计算公式
